- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRL640A (Fairchild Semiconductor)MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRL640A |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 200V 18A TO-220 |
| 产品培训模块： | High Voltage Switches for Power Processing |
| 标准包装： | 50 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 18A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 9A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 56nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1705pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 110W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 |
| 供应商设备封装： | TO-220 |
| 包装： | 管件 |
!
V
GS
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Top :
.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
10 1
10 1
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
150 o C
10 0
25 o C
@ Notes :
10 0
10 -1
10 0
@ Notes :
1. 25 μ s Pulse Test
2. C = 25 o C
10 1
10 - 1
0
2
- 55 o C
4
1. GS = 0 V
2. DS = 40 V
3. 25 μ s Pulse Test
6 8
10
V DS , Drain-Source Voltage [V]
V GS , Gate-Source Voltage [V]
0.4
0.3
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
V =5V
GS
10 1
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
0.2
10 0
0.1
V GS = 10 V
@ Note : T J = 25 o C
150 o C
25 o C
@ Notes :
1. GS = 0 V
2. 25 μ s Pulse Test
10
0.0
0
2 0
40
6 0
80
- 1
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
I , Drain Current [A]
D
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
2000
C iss = C gs + C gd ( C ds = shorted )
V SD , Source-Drain Voltage [V]
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
1600
C iss
C oss = C ds + C gd
C rss = C gd
6
V DS = 40 V
V DS = 100 V
1200
4
V DS = 160 V
800
C oss
@ Notes :
400
C rss
1. V GS = 0 V
2. f = 1 MHz
2
@ Notes : I D = 18 A
10
0
10 0
1
0
0
10
20
3 0
40
V DS , Drain-Source Voltage [V]
Q G , Total Gate Charge [nC]
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
IRL640A Rev. C0
3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL640L | MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 |
| IRL640STRR | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK |
| IRLBD59N04ETRLP | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| IRLD014 | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
| IRLHM620TR2PBF | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL640L | 功能描述:MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL640PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL640S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL640SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL640STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。