型号: | IRLBD59N04ETRLP |
厂商: | International Rectifier |
文件页数: | 1/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
标准包装: | 800 |
系列: | HEXFET® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 40V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 59A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 18 毫欧 @ 35A,10V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 2V @ 250µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 50nC @ 5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 2190pF @ 25V |
功率 - 最大: | 130W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | TO-263-6,D²Pak(5 引线+接片),TO-263BA |
供应商设备封装: | TO-263-5 |
包装: | 带卷 (TR) |