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参数资料
| 型号： | IRLBD59N04ETRLP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263-5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLBD59N04E
100000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + Cgd ,
SHORTED
Crss = C gd
C ds
6.0
5.0
ID= 35A
VDS= 32V
VDS= 20V
VDS= 8.0V
10000
Coss = Cds + Cgd
4.0
3.0
Ciss
1000
Coss
Crss
2.0
1.0
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
100
1
10
100
0.0
0
10
20
30
40
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000.0
1000
Q G Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100.0
T J = 175°C
100
100μsec
10.0
1.0
T J = 25°C
10
Tc = 25°C
1msec
10msec
0.1
VGS = 0V
1
Tj = 175°C
Single Pulse
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
1
10
100
4
VSD, Source-toDrain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
VDS , Drain-toSource Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLD014 | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
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| IRLI2505 | MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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