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参数资料
| 型号： | IRLBD59N04ETRLP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 6/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263-5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLBD59N04E
15V
800
TOP
ID
14A
25A
VDS
L
DRIVER
600
BOTTOM
35A
RG
20V
tp
D.U.T
IAS
0.01 ?
+
-
VDD
A
400
Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit
V (BR)DSS
200
tp
0
25
50
75
100
125
150
175
Starting T J , Junction Temperature ( ° C)
I AS
Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms
Q G
Fig 12c. Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Q GS
Q GD
0.8
V G
0.7
Charge
Fig 13a. Basic Gate Charge Waveform
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
50K ?
0.6
0.5
I F = 250μA
12V
.2 μ F
.3 μ F
- DS
D.U.T.
+
V
0.4
V GS
0
25
50
75
100
125
150
175
3mA
I G I D
Current Sampling Resistors
Fig 13b. Gate Charge Test Circuit
6
T J , Temperature ( ° C )
Fig 14. Sense Diode Voltage Drop
Vs.Temperature
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLD014 | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
| IRLHM620TR2PBF | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| IRLI2203N | MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP |
| IRLI2505 | MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP |
| IRLI2910 | MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLBL1304 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
| IRLC014B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC024B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC034B | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
| IRLC044BV | 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:LOGIC MOSFET N-CHANNEL 60V - Bulk |
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