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参数资料
| 型号： | IRLBD59N04ETRLP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263-5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLBD59N04E
1000
TOP
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
1000
TOP
VGS
15V
10V
7.0V
5.5V
4.5V
4.0V
100
10
1
3.5V
BOTTOM 2.7V
2.7V
300μs PULSE WIDTH
T J = 25°C
100
10
1
3.5V
BOTTOM 2.7V
2.7V
300μs PULSE WIDTH
T J = 175°C
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
T J = 25°C
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
2.5
I D = 59A
VGS = 10V
2.0
100
T J = 175°C
1.5
1.0
VDS = 15V
10
300μs PULSE WIDTH
0.5
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
-60 -40 -20
0
20 40 60 80 100 120 140 160 180
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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