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参数资料
| 型号： | IRLBD59N04ETRLP |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 40V 59A D2PAK-5 |
| 标准包装： | 800 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 40V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 59A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 18 毫欧 @ 35A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 130W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA |
| 供应商设备封装： | TO-263-5 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLBD59N04E
Case Outline 5 Lead-D 2 Pak (SMD-220)
PIN ASSIGNMENTS
Notes:
1
2
3
4
5
- G - GATE
- T1 - ANODE
- D - DRAIN
- T2 - CATHODE
- S - SOURCE
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Starting T J = 25 ° C, L = 0.55mH
R G = 25 ? , I AS = 35A. (See Figure 12)
Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
Calculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature. Package limitation current is 39A
C = 100pF, R = 1.5k ?
I SD ≤ 35A, di/dt ≤ 150A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175 ° C
** When mounted on 1" square PCB ( FR-4 or G-10 Material ).
For recommended soldering techniques refer to application note #AN-994.
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Automotive [Q101] market.
Qualification Standards can be found on IR ’ s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 11/01
8
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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