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参数资料
| 型号： | IRLHM620TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3620pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | PQFN（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLHM620TR2PBFDKR |
IRLHM620PbF
V DS
V GS max
20
±12
V
V
HEXFET ? Power MOSFET
R DS(on) max
(@V GS = 4.5V)
R DS(on) max
(@V GS = 2.5V)
2.5
3.5
m ?
m ?
D 5
D 6
D 7
D 8
4 G
3 S
2 S
1 S
3.3mm x 3.3mm PQFN
Q g (typical)
I D
(@T c(Bottom) = 25°C)
52
40
nC
A
Applications
? Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET
? Secondary Side Synchronous Rectification MOSFET
Features and Benefits
Features
Low R DSon (<2.5m ? )
Low Thermal Resistance to PCB (<3.4°C/W)
Low Profile (<1.0mm)
Benefits
Lower Conduction Losses
Enable better thermal dissipation
results in Increased Power Density
Industry-Standard Pinout
Compatible with Existing Surface Mount Techniques
RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen
MSL1, Industrial Qualification
?
Multi-Vendor Compatibility
Easier Manufacturing
Environmentally Friendlier
Increased Reliability
Orderable part number
Package Type
Standard Pack
Note
Form Quantity
IRLHM620TRPBF
PQFN 3.3mm x 3.3mm
Tape and Reel 4000
IRLHM620TR2PBF
PQFN 3.3mm x 3.3mm
Tape and Reel
400
EOL notice #259
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T A = 25°C
I D @ T A = 70°C
I D @ T C(Bottom) = 25°C
I D @ T C(Bottom) = 100°C
I DM
P D @T A = 25°C
P D @T C(Bottom) = 25°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V
Continuous Drain Current, V GS @ 4.5V
Pulsed Drain Current
Power Dissipation
Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
20
±12
26
21
40
40
160
2.7
37
0.022
-55 to + 150
V
A
W
W/°C
°C
Notes ? through ? are on page 9
1
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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January 14, 2014
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| IRLI2505 | MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLHM620TRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM620TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET 20V 40A 8-PQFN 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET, 20V, 40A, 8-PQFN |
| IRLHM630TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 3.5mOhm Drv cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM630TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM630TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET 30V 40A 8-PQFN 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET, 30V, 40A, 8-PQFN |
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