- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRLHM620TR2PBF (International Rectifier)MOSFET N-CH 20V 26A PQFN Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRLHM620TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3620pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | PQFN（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLHM620TR2PBFDKR |
IRLHM620PbF
1000
1000
100
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
TOP
BOTTOM
VGS
10V
4.5V
3.5V
2.5V
2.0V
1.8V
1.5V
1.3V
100
≤ 60μs PULSE WIDTH
Tj = 150°C
TOP
BOTTOM
VGS
10V
4.5V
3.5V
2.5V
2.0V
1.8V
1.5V
1.3V
10
10
1
1.3V
0.1
1.3V
1
0.1
1
10
100
0.1
1
10
100
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
1000
1.6
V DS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
VDS = 10V
≤ 60μs PULSE WIDTH
1.4
ID = 20A
VGS = 4.5V
100
1.2
TJ = 150°C
10
1.0
TJ = 25°C
1.0
0.8
0.6
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
-60 -40 -20 0
20 40 60 80 100 120 140 160
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
T J , Junction Temperature (°C)
Fig 4. Normalized On-Resistance vs. Temperature
100000
10000
VGS = 0V, f = 1 MHZ
C iss = C gs + C gd, C ds SHORTED
C rss = C gd
C oss = C ds + C gd
14.0
12.0
10.0
ID= 20A
VDS= 16V
VDS= 10V
VDS= 4.0V
Ciss
8.0
1000
100
Coss
Crss
6.0
4.0
2.0
0.0
1
10
100
0
20
40
60
80
100
120
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge vs.Gate-to-Source Voltage
3
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
Submit Datasheet Feedback
January 14, 2014
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI2203N | MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP |
| IRLI2505 | MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP |
| IRLI2910 | MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP |
| IRLI3803 | MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP |
| IRLI520N | MOSFET N-CH 100V 8.1A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLHM620TRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM620TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET 20V 40A 8-PQFN 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET, 20V, 40A, 8-PQFN |
| IRLHM630TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 3.5mOhm Drv cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM630TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM630TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET 30V 40A 8-PQFN 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET, 30V, 40A, 8-PQFN |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。