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参数资料
| 型号： | IRLHM620TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 4/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3620pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | PQFN（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLHM620TR2PBFDKR |
IRLHM620PbF
1000
1000
OPERATION IN THIS AREA
LIMITED BY R DS(on)
100
T J = 150°C
100
100μsec
1msec
10
T J = 25°C
10
DC
10msec
1.0
VGS = 0V
1
Tc = 25°C
Tj = 150°C
Single Pulse
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0
1
10
100
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage
100
1.6
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
90
80
70
60
50
Limited By Package
1.4
1.2
1.0
0.8
40
30
20
10
0
0.6
0.4
0.2
0.0
I D = 50μA
I D = 250μA
I D = 1.0mA
ID = 1.0A
25
50
75
100
125
150
-75 -50 -25
0
25
50
75 100 125 150
T C , Case Temperature (°C)
Fig 9. Maximum Drain Current vs.
Case (Bottom) Temperature
10
D = 0.50
T J , Temperature ( °C )
Fig 10. Threshold Voltage vs. Temperature
1
0.1
0.20
0.10
0.05
0.02
0.01
0.01
0.001
SINGLE PULSE
( THERMAL RESPONSE )
Notes:
1. Duty Factor D = t1/t2
2. Peak Tj = P dm x Zthjc + Tc
1E-006
1E-005
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , Rectangular Pulse Duration (sec)
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case (Bottom)
4
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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January 14, 2014
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLHM620TRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM620TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET 20V 40A 8-PQFN 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET, 20V, 40A, 8-PQFN |
| IRLHM630TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 3.5mOhm Drv cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM630TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM630TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET 30V 40A 8-PQFN 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET, 30V, 40A, 8-PQFN |
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