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参数资料
| 型号： | IRLHM620TR2PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| 产品目录绘图： | IR Hexfet PQFN |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 2.5 毫欧 @ 20A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.1V @ 50µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 78nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 3620pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2.7W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 8-VQFN 裸露焊盘 |
| 供应商设备封装： | PQFN（3x3） |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | IRLHM620TR2PBFDKR |
IRLHM620PbF
Static @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
BV DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
20
–––
–––
V
V GS = 0V, I D = 250μA
?Β V DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
5.4
–––
mV/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
R DS(on)
V GS(th)
? V GS(th)
I DSS
I GSS
gfs
Q g
Q gs
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Gate Threshold Voltage Coefficient
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Forward Transconductance
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
–––
–––
0.5
–––
–––
–––
–––
–––
58
–––
–––
2.0
2.7
0.8
-4.3
–––
–––
–––
–––
–––
52
6.3
2.5
3.5
1.1
–––
1.0
150
100
-100
–––
78
–––
m ?
V
mV/°C
μA
nA
S
nC
V GS = 4.5V, I D = 20A
V GS = 2.5V, I D = 20A
V DS = V GS , I D = 50μA
V DS = 16V, V GS = 0V
V DS = 16V, V GS = 0V, T J = 125°C
V GS = 12V
V GS = -12V
V DS = 10V, I D = 20A
V DS = 10V
V GS = 4.5V
Q gd
R G
t d(on)
Gate-to-Drain Charge
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
–––
–––
–––
25
2.6
7.5
–––
–––
–––
?
I D = 20A (See Fig.17 & 18)
V DD = 10V, V GS = 4.5V
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
–––
–––
–––
25
57
37
3620
900
620
–––
–––
–––
–––
–––
–––
ns
pF
I D = 20A
R G =1.0 ?
See Fig.15
V GS = 0V
V DS = 10V
? = 1.0MHz
Avalanche Characteristics
Parameter
Typ.
Max.
Units
E AS
I AR
Single Pulse Avalanche Energy
Avalanche Current
–––
–––
120
20
mJ
A
Diode Characteristics
Parameter
Min.
Typ.
Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
–––
–––
–––
–––
40
160
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
41
68
1.2
62
100
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = 20A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = 20A, V DD = 10V
di/dt = 220A/μs
t on
Forward Turn-On Time
Time is dominated by parasitic Inductance
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC (Bottom)
R θ JC (Top)
R θ JA
R θ JA (<10s)
Junction-to-Case
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient
–––
–––
–––
–––
3.4
37
46
31
°C/W
2
www.irf.com ? 2014 International Rectifier
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January 14, 2014
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLHM620TRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 2.5mOhms 52nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM620TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET 20V 40A 8-PQFN 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET, 20V, 40A, 8-PQFN |
| IRLHM630TR2PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 40A 2.5V 3.5mOhm Drv cpbl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM630TRPBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 3.5mOhms 41nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLHM630TRPBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET 30V 40A 8-PQFN 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHAN MOSFET, 30V, 40A, 8-PQFN |
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