型号: | IRLHM620TR2PBF |
厂商: | International Rectifier |
文件页数: | 5/9页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
产品目录绘图: | IR Hexfet PQFN |
标准包装: | 1 |
系列: | HEXFET® |
FET 型: | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 26A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 2.5 毫欧 @ 20A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.1V @ 50µA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 78nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 3620pF @ 10V |
功率 - 最大: | 2.7W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | 8-VQFN 裸露焊盘 |
供应商设备封装: | PQFN(3x3) |
包装: | 标准包装 |
其它名称: | IRLHM620TR2PBFDKR |