- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录448 > IRLD014 (Vishay Siliconix)MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | IRLD014 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLD014 |
IRLD014, SiHLD014
Vishay Siliconix
Power MOSFET
PRODUCT SUMMARY
V DS (V)
R DS(on) ( ? )
Q g (Max.) (nC)
V GS = 5 V
60
8.4
0.20
FEATURES
? Dynamic dV/dt Rating
? For Automatic Insertion
? End Stackable
A v aila b le
RoHS*
COMPLIANT
Q gs (nC)
Q gd (nC)
Configuration
2.6
6.4
Single
? Logic-Level Gate Drive
? R DS(on) Specified at V GS = 4 V and 5 V
? 175 °C Operating Temperature
HVMDIP
G
D
? Fast Switching
? Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC
DESCRIPTION
Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the
S
G
designer with the best combination of fast switching,
ruggedized device design, low on-resistance and
D
S
N -Channel MOSFET
cost-effectiveness.
The 4 pin DIP package is a low cost machine-insertiable
case style which can be stacked in multiple combinations on
standard 0.1" pin centers. The dual drain servers as a
thermal link to the mounting surface for power dissipation
levels up to 1 W.
ORDERING INFORMATION
Package
Lead (Pb)-free
SnPb
HVMDIP
IRLD014PbF
SiHLD014-E3
IRLD014
SiHLD014
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 °C, unless otherwise noted)
PARAMETER
Drain-Source Voltage
Gate-Source Voltage
SYMBOL
V DS
V GS
LIMIT
60
± 10
UNIT
V
Continuous Drain Current
V GS at 5.0 V
T A = 25 °C
T A = 100 °C
I D
1.7
1.2
A
Pulsed Drain Current a
I DM
14
Linear Derating Factor
0.0083
W/°C
Single Pulse Avalanche Energy b
E AS
490
mJ
Maximum Power Dissipation
T A = 25 °C
P D
1.3
W
Peak Diode Recovery
dV/dt c
dV/dt
4.5
V/ns
Operating Junction and Storage Temperature Range
Soldering Recommendations (Peak Temperature)
for 10 s
T J , T stg
- 55 to + 175
300 d
°C
Notes
a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).
b. V DD = 25 V, starting T J = 25 °C, L = 197 mH, R g = 25 ? , I AS = 1.7 A (see fig. 12).
c. I SD ? 10 A, dI/dt ? 90 A/μs, V DD ? V DS , T J ? 175 °C.
d. 1.6 mm from case.
* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply
Document Number: 91307
S10-2465-Rev. D, 08-Nov-10
www.vishay.com
1
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLHM620TR2PBF | MOSFET N-CH 20V 26A PQFN |
| IRLI2203N | MOSFET N-CH 30V 61A TO220FP |
| IRLI2505 | MOSFET N-CH 55V 58A TO220FP |
| IRLI2910 | MOSFET N-CH 100V 31A TO220FP |
| IRLI3803 | MOSFET N-CH 30V 76A TO220FP |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLD014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLD024 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLD024_10 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLD024PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLD110 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。