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参数资料
| 型号： | IRLD014 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLD014 |
IRLD014, SiHLD014
Vishay Siliconix
R g
V GS
V DS
R D
D.U.T.
+
- V DD
10 V
P u lse w idth ≤ 1 μ s
D u ty factor ≤ 0.1 %
Fig. 10a - Switching Time Test Circuit
V DS
90 %
T A , Ambient Temperature (°C)
10 %
V GS
t d(on)
t r
t d(off) t f
Fig. 9 - Maximum Drain Current vs. Ambient Temperature
Fig. 10b - Switching Time Waveforms
t 1 , Rectangular Pulse Duration (s)
Fig. 11 - Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Document Number: 91307
S10-2465-Rev. D, 08-Nov-10
www.vishay.com
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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