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参数资料
| 型号： | IRLD014 |
| 厂商： | Vishay Siliconix |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
| 标准包装： | 2,500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 60V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.7A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 200 毫欧 @ 1A，5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 8.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 400pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 1.3W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 供应商设备封装： | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLD014 |
IRLD014, SiHLD014
Vishay Siliconix
Peak Diode Recovery dV/dt Test Circuit
D.U.T.
+
Circuit layout considerations
? Low stray inductance
? Ground plane
? Low leakage inductance
current transformer
-
+
-
-
+
R g
?
?
?
?
dV/dt controlled by R g
Driver same type as D.U.T.
I SD controlled by duty factor “D”
D.U.T. - device under test
+
-
V DD
Driver gate drive
P.W.
Period
D=
P.W.
Period
V GS = 10 V a
D.U.T. l SD waveform
Reverse
recovery
current
Body diode forward
current
dI/dt
D.U.T. V DS waveform
Diode recovery
Re-applied
dV/dt
V DD
voltage
Inductor current
Body diode forward drop
Ripple ≤ 5 %
I SD
Note
a. V GS = 5 V for logic level devices
Fig. 14 - For N-Channel
Vishay Siliconix maintains worldwide manufacturing capability. Products may be manufactured at one of several qualified locations. Reliability data for Silicon
Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations. For related documents such as package/tape drawings, part marking, and
reliability data, see www.vishay.com/ppg?91307 .
Document Number: 91307
S10-2465-Rev. D, 08-Nov-10
www.vishay.com
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLD014PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 1.7 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLD024 | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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| IRLD024PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 2.5 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLD110 | 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.0 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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