参数资料
型号: IRL5602STRRPBF
厂商: International Rectifier
文件页数: 3/10页
文件大小: 0K
描述: MOSFET P-CH 20V 24A D2PAK
标准包装: 800
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 24A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 42 毫欧 @ 12A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 44nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 1460pF @ 15V
功率 - 最大: 75W
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装: D2PAK
包装: 带卷 (TR)
IRL5602SPbF
100
VGS
TOP    -15V
-12V
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.7V
BOTTOM -2.0V
100
VGS
TOP    -15V
-12V
-10V
-7.0V
-5.0V
-4.5V
-2.7V
BOTTOM -2.0V
10
-2.0V
10
-2.0V
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10            100
1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 175 ° C
10            100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
100
T J = 25 ° C
T J = 175 ° C
3.5
3.0
2.5
I D = -24A
2.0
10
1.5
1.0
0.5
1
2.0
V DS = -15V
20μs PULSE WIDTH
3.0        4.0        5.0
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
6.0
V GS = -4.5V
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述
RO-2405S/EP CONV DC/DC 1W 24VIN 05VOUT
IRL3715ZCSTRRP MOSFET N-CH 20V 50A D2PAK
EBM10DTMH-S189 CONN EDGECARD 20POS R/A .156 SLD
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