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参数资料
| 型号： | IRL620 |
| 厂商： | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分类： | JFETs |
| 英文描述： | 200V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为200V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | 5 A, 200 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB |
| 封装： | TO-220, 3 PIN |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 235K |
| 代理商： | IRL620 |
IRL620
10
-1
10
0
10
1
10
-1
10
0
10
1
@ Notes :
1. 250
μ
s Pulse Test
2. T
C
= 25
o
C
V
GS
Top : 7.0 V
6.0 V
5.5 V
5.0 V
4.5 V
4.0 V
3.5 V
Bottom : 3.0 V
I
D
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
0
3
6
9
12
15
18
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
@ Note : T
J
= 25
o
C
V
GS
= 10 V
V
GS
= 5 V
R
D
]
D
I
D
, Drain Current [A]
0
2
10
12
0
2
4
6
V
DS
= 160 V
V
DS
= 100 V
V
DS
= 40 V
@ Notes : I
D
= 5 A
V
G
Q
G
, Total Gate Charge [nC]
0
2
4
6
8
10
10
-1
10
0
10
1
25
o
C
150
o
C
- 55
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. V
DS
= 40 V
3. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
GS
, Gate-Source Voltage [V]
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
10
-1
10
0
10
1
150
o
C
25
o
C
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. 250
μ
s Pulse Test
I
D
V
SD
, Source-Drain Voltage [V]
10
0
10
1
0
100
200
300
400
500
C
iss
= C
gs
+ C
gd
(
C
ds
= shorted
)
C
oss
= C
ds
+ C
gd
C
rss
= C
gd
@ Notes :
1. V
GS
= 0 V
2. f = 1 MHz
C
rss
C
oss
C
iss
C
V
DS
, Drain-Source Voltage [V]
3
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 1. Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 6. Gate Charge vs. Gate-Source Voltage
Fig 5. Capacitance vs. Drain-Source Voltage
Fig 4. Source-Drain Diode Forward Voltage
Fig 3. On-Resistance vs. Drain Current
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL630S | 200V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为200V的N沟道增强型功率MOS场效应管) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| IRL620PBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL620S | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL620S | 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK |
| IRL620SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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