参数资料
型号: IRL630S
厂商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分类: JFETs
英文描述: 200V N-Channel Power MOSFET(漏源电压为200V的N沟道增强型功率MOS场效应管)
中文描述: 9 A, 200 V, 0.4 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
文件页数: 6/7页
文件大小: 234K
代理商: IRL630S
IRL630S
6
1&+$11(/
32:(5 026)(7
Fig 15. Peak Diode Recovery dv/dt Test Circuit & Waveforms
5V
V
GS
( Driver )
I
S
( DUT )
V
DS
( DUT )
V
DD
Body Diode
Forward Voltage Drop
V
f
I
FM
, Body Diode Forward Current
Body Diode Reverse Current
I
RM
Body Diode Recovery dv/dt
di/dt
D =
Gate Pulse Period
-Gate Pulse Width
DUT
V
DS
+
--
L
I
S
Driver
V
GS
R
G
Same Type
as DUT
V
GS
dv/dt controlled by R
G
I
S
controlled by Duty Factor D
V
DD
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PDF描述
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