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参数资料
| 型号： | IRL640S |
| 英文描述： | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 17A I(D) | TO-252VAR |
| 中文描述： | 晶体管| MOSFET的| N沟道| 200伏五（巴西）直| 17A条（丁）|对252VAR |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 469K |
| 代理商： | IRL640S |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL641 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 150V V(BR)DSS | 16A I(D) | TO-220AB |
| IRL6903 | |
| IRL6903L | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 105A I(D) | TO-262AA |
| IRL6903S | TRANSISTOR | MOSFET | P-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 91A I(D) | TO-263AB |
| IRFPS30N60K | SMPS MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL640SPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL640STRL | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL640STRLPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL640STRR | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL640STRRPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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