- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录377534 > IRL8113 (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRL8113 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/12页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | IRL8113 |
www.irf.com
3
Fig 4.
Normalized On-Resistance
vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 25°C
3.0V
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
TOP
BOTTOM
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1
10
100
1000
ID
(
)
VDS = 10V
≤
60μs PULSE WIDTH
TJ = 25°C
TJ = 175°C
0.1
1
10
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10
100
1000
ID
≤
60μs PULSE WIDTH
Tj = 175°C
3.0V
VGS
10V
9.0V
7.0V
5.0V
4.5V
4.0V
3.5V
3.0V
TOP
BOTTOM
-60 -40 -20
0
20
40
60
80 100 120 140 160 180
TJ , Junction Temperature (°C)
0.5
1.0
1.5
2.0
RD
ID = 42A
VGS = 10V
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL8113L | HEXFET Power MOSFET |
| IRL8113S | HEXFET Power MOSFET |
| IRLBA3803 | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRLBA3803P | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
| IRLBL1304 | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRL8113L | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL8113LPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL8113PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 23nC 6mOhm Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRL8113S | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 105A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRL8113SPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 105A 6mOhm 23nC Qg log lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。