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参数资料
| 型号： | IRL8113 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 6/12页 |
| 文件大小： | 304K |
| 代理商： | IRL8113 |
6
www.irf.com
Fig 13c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 14a.
Switching Time Test Circuit
Fig 14b.
Switching Time Waveforms
V
GS
V
DS
90%
10%
t
d(on)
t
d(off)
t
r
t
f
V
GS
Pulse Width < 1μs
Duty Factor < 0.1%
V
DD
V
DS
L
D
D.U.T
+
-
Fig 13b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
Fig 12.
On-Resistance Vs. Gate Voltage
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
0
10
20
30
40
RD
)
TJ = 25°C
TJ = 125°C
ID = 21A
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ, Junction Temperature (°C)
0
200
400
600
800
1000
EA
ID
TOP
8.8A
11A
BOTTOM
17A
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PDF描述 |
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