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参数资料
型号： IRLBA1304P
厂商： International Rectifier
英文描述： HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管)
中文描述： HEXFET功率MOSFET（马鞍山的HEXFET功率场效应管）
文件页数： 2/8页
文件大小： 95K
代理商： IRLBA1304P
IRLBA1304/P
2
www.irf.com
Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
Starting T
J
= 25°C, L = 230μH
R
G
= 25
, I
AS
= 100A. (See Figure 12)
I
SD
≤
110A, di/dt
≤
170A/μs, V
DD
≤
V
(BR)DSS
,
T
J
≤
175°C
Pulse width
≤
300μs; duty cycle
≤
2%.
Notes:
S
D
G
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I
S
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode)
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
T
J
= 25°C, I
S
= 110A, V
GS
= 0V
T
J
= 25°C, I
F
= 110A
di/dt = 100A/μs
–––
–––
I
SM
–––
–––
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
–––
–––
–––
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L
S
+L
D
)
–––
100
250
1.3
150
380
V
ns
nC
Source-Drain Ratings and Characteristics
185*
740
A
Parameter
Min.
40
–––
–––
–––
1.0
120
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
Typ. Max. Units
–––
–––
0.043 –––
––– 0.0040
––– 0.0065
–––
–––
–––
–––
–––
25
–––
250
–––
100
–––
-100
–––
140
–––
39
–––
79
21
–––
350
–––
45
–––
103
–––
Conditions
V
GS
= 0V, I
D
= 250μA
Reference to 25°C, I
D
= 1mA
V
GS
= 10V, I
D
= 110A
V
GS
= 4.5V, I
D
= 93
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250μA
V
DS
= 25V, I
D
= 110A
V
DS
= 40V, V
GS
= 0V
V
DS
= 32V, V
GS
= 0V, T
J
= 150°C
V
GS
= 16V
V
GS
= -16V
I
D
= 110A
V
DS
= 32V
V
GS
= 4.5V, See Fig. 6 and 13
V
DD
= 20V
I
D
= 110A
R
G
= 0.9
R
D
= 0.18
,See Fig. 10
Between lead,
6mm (0.25in.)
from package
and center of die contact
V
GS
= 0V
V
DS
= 25V
= 1.0MHz, See Fig. 5
V
(BR)DSS
V
(BR)DSS
/
T
J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
Drain-to-Source Breakdown Voltage
V
V/°C
V
GS(th)
g
fs
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
V
S
μA
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
nA
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
nC
–––
–––
C
iss
C
oss
C
rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
–––
7660
2150
460
–––
–––
–––
pF
Electrical Characteristics @ T
J
= 25°C (unless otherwise specified)
nH
I
GSS
S
D
G
L
S
Internal Source Inductance
–––
5.0
–––
R
DS(on)
Static Drain-to-Source On-Resistance
L
D
Internal Drain Inductance
2.0
I
DSS
Drain-to-Source Leakage Current
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PDF描述
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IRLF110 TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF
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参数描述
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IRLBA3803/P 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a Super 220 (TO-273AA) package
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