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参数资料
| 型号： | IRLBA3803P |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（马鞍山的HEXFET功率场效应管） |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | IRLBA3803P |
IRLBA3803/P
4
www.irf.com
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
3
6
9
12
15
0
40
Q , Total Gate Charge (nC)
80
120
160
200
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
V = 24V
V = 15V
I = 71A
0
2000
4000
6000
8000
10000
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
10
100
D
1000
10000
1
10
100
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
Single Pulse
T
T
= 175°
= 25°
J
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
10us
100us
1ms
10ms
1
10
100
1000
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
2.4
V ,Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
V = 0 V
T = 25 C
°
T = 175 C
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