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参数资料
| 型号： | IRLBA3803P |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（马鞍山的HEXFET功率场效应管） |
| 文件页数： | 6/8页 |
| 文件大小： | 121K |
| 代理商： | IRLBA3803P |
IRLBA3803/P
6
www.irf.com
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
D.U.T.
V
DS
I
D
I
G
3mA
V
GS
.3
μ
F
50K
.2
μ
F
12V
Current Regulator
Same Type as D.U.T.
Current Sampling Resistors
+
-
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
4.5
V
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
0
300
600
900
1200
1500
25
50
75
100
125
150
175
E
A
A
Starting T , Junction Temperature (°C)
V = 15V
I
TOP 29A
50A
BOTTOM 71A
D
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
D D
DRIVER
A
15V
20V
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLBL1304 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET㈢ Power MOSFET |
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