参数资料
型号: IRLD120
厂商: International Rectifier
英文描述: HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管)
中文描述: HEXFET功率MOSFET(马鞍山的HEXFET功率场效应管)
文件页数: 6/6页
文件大小: 169K
代理商: IRLD120
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PDF描述
IRLF120 HEXFET TRANSISTORS THRU-HOLE (TO-39)
IRLI2203NPBF HEXFET Power MOSFET
IRLI3615PBF HEXFET Power MOSFET
IRLI3705NPBF HEXFET㈢Power MOSFET
IRLI3803PBF HEXFET Power MOSFET
相关代理商/技术参数
参数描述
IRLD120PBF 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 1.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLF110 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 3.5A I(D) | TO-205AF
IRLF120 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 3-Pin TO-39 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 5.3A 3PIN TO-39 - Rail/Tube
IRLF120SCX 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 5.3A 3-Pin TO-39 制造商:International Rectifier 功能描述:IRLF120SCX - Rail/Tube
IRLF130 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-205AF