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参数资料
| 型号： | IRLI3803 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | IRLI3803 |
IRLI3803
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
2.0V
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
VGS
0.01
0.1
1
10
100
1000
10000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
2.0V
VGS
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
0.01
0.1
1
10
100
1000
2.0
3.0
V , Gate-to-Source Voltage (V)
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
T = 25°C
D
I
T = 175°C
A
V = 25V
20μs PULSE W IDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160
180
R
D
(
V = 10V
A
I = 120A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI520N | Power MOSFET |
| IRLI520 | Power MOSFET |
| IRLI530N | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI620GPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI620 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI3803PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 67A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI510A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLI510ATU | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI520 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET |
| IRLI520A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
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