- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384507 > IRLI3803 (International Rectifier) HEXFET Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLI3803 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 103K |
| 代理商： | IRLI3803 |
IRLI3803
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
4.5V
+
-
V
DD
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D = t / t
2. Peak T =P
x Z
+ T
2
DM
thJC
C
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
25
50
75
100
125
150
175
0
20
40
60
80
T , Case Temperature
(°
I
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLI520N | Power MOSFET |
| IRLI520 | Power MOSFET |
| IRLI530N | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI620GPBF | HEXFET Power MOSFET |
| IRLI620 | Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.80ohm, Id=4.0A) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLI3803PBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 67A 6mOhm 93.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI510A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
| IRLI510ATU | 功能描述:MOSFET 100V N-Channel a-FET Logic Level RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLI520 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Power MOSFET |
| IRLI520A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Advanced Power MOSFET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。