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参数资料
| 型号： | IRLI540N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET(HEXFET 功率MOS场效应管) |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET（马鞍山的HEXFET功率场效应管） |
| 文件页数： | 3/8页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | IRLI540N |
IRLI540N
Fig 4.
Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
Fig 2.
Typical Output Characteristics
Fig 1.
Typical Output Characteristics
Fig 3.
Typical Transfer Characteristics
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 25°C
J
VGS
2.5V
1
10
100
1000
0.1
1
10
100
I
D
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
20μs PULSE WIDTH
T = 175°C
VGS
2.5V
1
10
100
1000
2
4
6
8
10
T = 25°C
V , Gate-to-Source Voltage (V)
D
I
T = 175°C
A
V = 50V
20μs PULSE WIDTH
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
-60
-40
-20
T , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100 120 140 160 180
R
D
(
V = 10V
A
I = 30A
D
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PDF描述 |
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参数描述 |
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