型号: | IRLI620G |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | Silicon Switching Diode, 200V 250MW SOT-23 |
中文描述: | 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 200V的电压,的Rds(on)\u003d 0.80ohm,身份证\u003d 4.0a上) |
文件页数: | 3/8页 |
文件大小: | 339K |
代理商: | IRLI620G |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRLI620GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 4.1 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLI630 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
IRLI630A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:ADVANCED POWER MOSFET |
IRLI630ATU | 功能描述:MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLI630G | 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 6.2 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |