参数资料
型号: IRLI640
厂商: International Rectifier
英文描述: Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.9A)
中文描述: 功率MOSFET(减振钢板基本\u003d 200V的电压,的Rds(on)\u003d 0.18ohm,身份证\u003d 9.9A)
文件页数: 6/8页
文件大小: 332K
代理商: IRLI640
IRLI640G
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
Vs. Drain Current
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
5.0V
5.0V
0
100
200
300
400
500
600
700
25
50
75
100
125
150
V = 50V
Starting T , Juntion Temperature (°C)
E
A
I
TOP 4.4A
6.3A
BOTTOM 9.9A
A
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PDF描述
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IRLI640G 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLI640GPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 9.9 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLIB4343 功能描述:MOSFET N-CH 55V 19A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLIB4343PBF 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220 ISOL 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, TO-220 ISOL 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, TO-220 ISOL; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:19A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):42mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:39W;;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 55V 19A TO220FP