- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录384507 > IRLIZ34N (International Rectifier) Power MOSFET PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLIZ34N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | Power MOSFET |
| 中文描述： | 功率MOSFET |
| 文件页数： | 4/8页 |
| 文件大小： | 105K |
| 代理商： | IRLIZ34N |
IRLIZ34N
Fig 7.
Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
Fig 5.
Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
Fig 8.
Maximum Safe Operating Area
Fig 6.
Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1
10
100
C
V , Drain-to-Source Voltage (V)
A
V = 0V, f = 1MHz
C = C + C , C SHORTED
C = C
C = C + C
C
iss
C
oss
C
rss
0
3
6
9
12
15
0
4
8
12
16
20
24
28
32
Q , Total Gate Charge (nC)
V
G
A
FOR TEST CIRCUIT
SEE FIGURE 13
I = 16A
V = 44V
V = 28V
1
10
100
1000
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
T = 25°C
V = 0V
V , Source-to-Drain Voltage (V)
I
S
A
T = 175°C
1
10
100
1000
1
10
100
V , Drain-to-Source Voltage (V)
I
D
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R
DS(on)
10μs
100μs
1ms
10ms
A
T = 25°C
T = 175°C
Single Pulse
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLIZ44G | HEXFET POWER MOSFET |
| IRLL2703 | HEXFET?? Power MOSFET |
| IRLL2705 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLL3303 | Rotational Speed Sensors; Package: PG-SSO-2; Application: -; Technology: -; Direction detection (PWM): -; Vibration Suppression: -; Type of hysteresis: - |
| IRLML2402 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLIZ34NPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 20A 35mOhm 16.7nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLIZ44A | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 50A I(D) | TO-262AA |
| IRLIZ44G | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 30A TO220FP RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:- 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLIZ44G_09 | 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Power MOSFET |
| IRLIZ44GPBF | 功能描述:MOSFET N-Chan 60V 30 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。