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参数资料
| 型号： | IRLL2703 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET?? Power MOSFET |
| 中文描述： | 的HEXFET？？功率MOSFET |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 123K |
| 代理商： | IRLL2703 |
IRLL2703
www.irf.com
7
Package Outline
SOT-223 (TO-261AA) Outline
SOT-223
Part Marking Information
DATE CODE (YW W )
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
W W = W EEK
BOTTOM
PART NUMBER
TOP
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRFL014
W AFER
LOT CODE
XXXXXX
314
FL014
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLL2705 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLL3303 | Rotational Speed Sensors; Package: PG-SSO-2; Application: -; Technology: -; Direction detection (PWM): -; Vibration Suppression: -; Type of hysteresis: - |
| IRLML2402 | HEXFET Power MOSFET |
| IRLML2402TR | HEXFET POWER MOSFET |
| IRLML6402 | HEXFET Power MOSFET |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLL2703HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 |
| IRLL2703PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 9.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLL2703TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLL2703TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 5.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
| IRLL2703TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 5.5A 45mOhm 9.3nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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