型号: | IRLL3303 |
厂商: | International Rectifier |
元件分类: | 速度传感器和接近开关 |
英文描述: | Rotational Speed Sensors; Package: PG-SSO-2; Application: -; Technology: -; Direction detection (PWM): -; Vibration Suppression: -; Type of hysteresis: - |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件页数: | 8/9页 |
文件大小: | 161K |
代理商: | IRLL3303 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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IRLL3303HR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 6.5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 30V 6.5A 4PIN SOT-223 - Bulk |
IRLL3303PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLL3303PBF-EL | 制造商:International Rectifier 功能描述: |
IRLL3303TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRLL3303TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 4.6A 31mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |