参数资料
型号: IRLL3303
厂商: International Rectifier
元件分类: 速度传感器和接近开关
英文描述: Rotational Speed Sensors; Package: PG-SSO-2; Application: -; Technology: -; Direction detection (PWM): -; Vibration Suppression: -; Type of hysteresis: -
中文描述: HEXFET功率MOSFET
文件页数: 8/9页
文件大小: 161K
代理商: IRLL3303
IRLL3303
Package Outline
SOT-223 (TO-261AA) Outline
8
www.irf.com
SOT-223
Part Marking Information
DATE CODE (YW W )
Y = LAST DIGIT OF THE YEAR
W W = W EEK
BOTTOM
PART NUMBER
TOP
INTERNATIONAL
RECTIFIER
LOGO
EXAMPLE : THIS IS AN IRFL014
W AFER
LOT CODE
XXXXXX
314
FL014
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PDF描述
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IRLL3303PBF 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 31mOhms 34nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLL3303PBF-EL 制造商:International Rectifier 功能描述:
IRLL3303TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRLL3303TRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 4.6A 31mOhm 34nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube