型号: | IRLML2402 |
厂商: | International Rectifier |
英文描述: | HEXFET Power MOSFET |
中文描述: | HEXFET功率MOSFET |
文件页数: | 6/8页 |
文件大小: | 81K |
代理商: | IRLML2402 |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
---|---|
IRLML2402TR | HEXFET POWER MOSFET |
IRLML6402 | HEXFET Power MOSFET |
IRLML6402TR | HEXFET Power MOSFET |
IRLML2502 | HEXFET Power MOSFET |
IRLML2803 | Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)=0.25ohm) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
---|---|
IRLML2402GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
IRLML2402PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N LOGIC SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, LOGIC, SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 1.2A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:1.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):250mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:700mV ;RoHS Compliant: Yes |
IRLML2402TR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
IRLML2402TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 1.2A 3PIN SOT-23 - Tape and Reel |
IRLML2402TRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |