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参数资料
| 型号： | IRLML2502 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/9页 |
| 文件大小： | 126K |
| 代理商： | IRLML2502 |
www.irf.com
5
Fig 10.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
25
50
T , Case Temperature (°
75
100
125
150
0.0
1.0
2.0
3.0
4.0
I
D
0.1
0.00001
1
10
100
1000
0.0001
0.001
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
0.01
0.1
1
10
Notes:
1. Duty factor D =
2. Peak T =P
t / t
x Z
+ T
2
DM
thJA
A
P
t
t
DM
1
2
T
t
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
D = 0.50
SINGLE PULSE
(THERMAL RESPONSE)
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLML2502GPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLML2502GTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLML2502PBF | 制造商:International Rectifier 功能描述:Bulk 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET, N, SOT-23 制造商:International Rectifier 功能描述:N CHANNEL MOSFET, 20V, 4.2A, SOT-23; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.2A; Drain Source Voltage Vds:20V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:4.5V; Threshold Voltage Vgs Typ:1.2V ;RoHS Compliant: Yes 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N-Channel 20V 4.2A SOT23 |
| IRLML2502PBF_12 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:Ultra Low On-Resistance, N-Channel MOSFET, SOT-23 Footprint |
| IRLML2502TR | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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