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参数资料
| 型号： | IRLMS6802TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1079pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS6802TR IRLMS6802 IRLMS6802CT |
IRLMS6802
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
-20
––– ––– V V GS = 0V, I D = -250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
-0.005 –––
V/°C Reference to 25°C, I D = -1mA
?
μA
nA
ns
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
C iss
C oss
C rss
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
–––
–––
-0.60
1.5
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
–––
––– 0.050 V GS = -4.5V, I D = -5.1A ?
––– 0.100 V GS = -2.5V, I D = -3.4A ?
––– -1.2 V V DS = V GS , I D = -250μA
––– ––– S V DS = -10V, I D = -0.80A
––– -1.0 V DS = -16V, V GS = 0V
––– -25 V DS = -16V, V GS = 0V, T J = 125°C
––– -100 V GS = -12V
––– 100 V GS = 12V
11 16 I D = -4.5A
2.2 3.3 nC V DS = -10V
2.9 4.3 V GS = -5.0V ?
12 ––– V DD = -10V
33 ––– I D = -1.0A
70 ––– R G = 6.0 ?
72 ––– R D = 10 ? ?
1079 ––– V GS = 0V
220 ––– pF V DS = -10V
152 ––– ? = 1.0MHz
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
???
???
???
???
- 2.0
- 45
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse Recovery Charge
–––
–––
–––
–––
74
45
-1.2
110
67
V
ns
nC
T J = 25°C, I S = -1.6A, V GS = 0V
T J = 25°C, I F = -3.0A
di/dt = -100A/μs ?
?
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? Surface mounted on FR-4 board, t ≤ 5sec.
? Starting T J = 25°C, L = 6.8mH
R G = 25 ? , I AS = -3.0A. (See Figure 12)
www.irf.com
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参数描述 |
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