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参数资料
| 型号： | IRLMS6802TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP |
| 产品变化通告： | Product Discontinuation 08/Jul/2011 |
| 标准包装： | 1 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 5.6A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 5.1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.2V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 16nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1079pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 2W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 6-LSOP（0.063"，1.60mm 宽） |
| 供应商设备封装： | Micro6?（TSOP-6） |
| 包装： | 剪切带 (CT) |
| 其它名称： | *IRLMS6802TR IRLMS6802 IRLMS6802CT |
IRLMS6802
100
TOP
VGS
-7.50V
100
TOP
VGS
-7.50V
10
-5.00V
-4.00V
-3.50V
-3.00V
-2.50V
-2.00V
BOTTOM -1.50V
10
-5.00V
-4.00V
-3.50V
-3.00V
-2.50V
-2.00V
BOTTOM -1.50V
1
-1.50V
1
-1.50V
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 25 ° C
10 100
0.1
0.1
1
20μs PULSE WIDTH
T J = 150 ° C
10 100
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 1. Typical Output Characteristics
-V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 2. Typical Output Characteristics
T J = 25 C
100
10
°
T J = 150 ° C
2.0
1.5
1.0
0.5
I D = -5.6A
1
1.0
V DS = -15V
20μs PULSE WIDTH
2.0 3.0 4.0
-V GS , Gate-to-Source Voltage (V)
5.0
V GS = -4.5V
0.0
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
T J , Junction Temperature ( ° C)
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
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PDF描述 |
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