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参数资料
型号： IRLR024Z
厂商： International Rectifier
英文描述： AUTOMOTIVE MOSFET
中文描述： 汽车MOSFET的
文件页数： 6/11页
文件大小： 215K
代理商： IRLR024Z
6
www.irf.com
Q
G
Q
GS
Q
GD
V
G
Charge
Fig 13b.
Gate Charge Test Circuit
Fig 13a.
Basic Gate Charge Waveform
Fig 12c.
Maximum Avalanche Energy
vs. Drain Current
Fig 12b.
Unclamped Inductive Waveforms
Fig 12a.
Unclamped Inductive Test Circuit
tp
V
(BR)DSS
I
AS
Fig 14.
Threshold Voltage vs. Temperature
R
G
I
AS
0.01
t
p
D.U.T
L
VDS
+
-V
DD
DRIVER
A
15V
20V
GS
1K
VCC
DUT
0
L
25
50
75
100
125
150
175
Starting TJ , Junction Temperature (°C)
0
20
40
60
80
100
EA
ID
TOP 1.2A
1.8A
BOTTOM9.6A
-75
-50
-25
0
25
50
75
100 125 150 175
TJ , Temperature ( °C )
1.0
1.5
2.0
2.5
VG
ID = 250μA
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PDF描述
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参数描述
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IRLR024ZTRLPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 16A 58mOhm 6.6nC Log Lvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR024ZTRPBF 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 58mOhms 6.6nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRLR034A 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 23A I(D) | TO-252AA
IRLR110 功能描述:MOSFET N-Chan 100V 4.3 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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