- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21664 > IRLR3103 (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 55A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLR3103 |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 3/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 107W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLR3103 |
IRLR/U3103
1000
TOP
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
1000
TOP
VGS
15V
12V
10V
8.0V
6.0V
100
10
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5V
100
10
4.0V
3.0V
BOTTOM 2.5V
2.5 V
20μ s P U LS E W ID TH
20μ s P U LS E W ID TH
1
0.1
1
T J = 25°C
10
A
100
1
0.1
1
T J = 175°C
10
A
100
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 1. Typical Output Characteristics
V D S , D rain-to-S ource V oltage (V )
Fig 2. Typical Output Characteristics
1000
T J = 2 5 °C
2.0
1.5
I D = 56A
100
T J = 1 7 5 °C
1.0
10
0.5
V DS = 15V
1
2.0
3.0
4.0
5.0
2 0 μ s P U L S E W ID T H
6.0 7.0 8.0
9.0
A
0.0
-60
-40 -20
0
20
40
60
80
V G S = 10V
100 120 140 160 180
A
V G S , G a te -to -S o u rc e V o lta g e (V )
Fig 3. Typical Transfer Characteristics
www.irf.com
T J , J unc tion T em perature (°C )
Fig 4. Normalized On-Resistance
Vs. Temperature
3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRL3803S | MOSFET N-CH 30V 140A D2PAK |
| 3214J-1-500E | TRIMMER 50 OHM 0.25W SMD |
| IRL3303S | MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK |
| IRL3103S | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK |
| IRL3103D1S | MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR3103PBF | 功能描述:MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3103TR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR3103TRBDF | 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:IR 2004+ |
| IRLR3103TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR3103TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。