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参数资料
| 型号： | IRLR3103TRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 107W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U3103
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min. Typ. Max. Units Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30 ––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.037 –––
V/°C Reference to 25°C, I D = 1mA
?
––– 20 ––– R G = 3.4 ?, V GS = 4.5V
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
––– ––– 0.019 V GS = 10V, I D = 33A ?
––– ––– 0.024 V GS = 4.5V, I D = 25A ?
1.0 ––– ––– V V DS = V GS , I D = 250μA
23 ––– ––– S V DS = 25V, I D = 34A ?
––– ––– 25 V DS = 30V, V GS = 0V
μA
––– ––– 250 V DS = 18V, V GS = 0V, T J = 150°C
––– ––– 100 V GS = 16V
nA
––– ––– -100 V GS = -16V
––– ––– 50 I D = 34A
––– ––– 14 nC V DS = 24V
––– ––– 28 V GS = 4.5V, See Fig. 6 and 13 ??
––– 9.0 ––– V DD = 15V
––– 210 ––– I D = 34A
ns
––– 54 ––– R D = 0.43 ?, See Fig. 10 ??
L D
Internal Drain Inductance
––– 4.5 –––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
D
L S
Internal Source Inductance
––– 7.5 –––
from package
and center of die contact ?
G
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
––– 1600 ––– V GS = 0V
––– 640 ––– pF V DS = 25V
––– 320 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ??
––– –––
––– –––
55 ?
220
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Q rr
t on
Notes:
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
Reverse RecoveryCharge
Forward Turn-On Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 28A, V GS = 0V ?
––– 81 120 ns T J = 25°C, I F = 34A
––– 210 310 nC di/dt = 100A/μs ??
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 15V, starting T J = 25°C, L = 300μH
R G = 25 ? , I AS = 34A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 34A, di/dt ≤ 140A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%
? Calculated continuous current based on maximum allowable junction
temperature; Package limitation current = 20A
? This is applied for I-PAK, L S of D-PAK is measured between lead and
center of die contact
? Uses IRL3103 data and test conditions
** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material ) .
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994
2
www.irf.com
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