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参数资料
| 型号： | IRLR3103TRR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 8/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 55A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 55A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 19 毫欧 @ 33A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 50nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1600pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 107W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U3103
Package Outline
TO-252AA Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
2.38 (.094)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
6.73 (.265)
6.35 (.250)
-A-
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
4
6.45 (.245)
5.68 (.224)
6.22 (.245)
5.97 (.235)
10.42 (.410)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
1
2
3
9.40 (.370)
LE A D A S S IG N M E N T S
1 - GATE
0.51 (.020)
2 - D R A IN
1.52 (.060)
-B-
M IN.
3 - SOURCE
4 - D R A IN
1.15 (.045)
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
0.58 (.023)
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
0.25 (.010)
M A M B
0.46 (.018)
2.28 (.090)
4.57 (.180)
N O TE S :
1 D IM E N S IO N IN G & TO LE R A N C IN G P E R A N S I Y 14.5M , 1982.
2 C O N TR O LLIN G D IM E N S IO N : IN C H .
3 C O N F O R M S T O JE D E C O U TLIN E TO -252A A .
4 D IM E N S IO N S S H O W N A RE B E F O R E S O LD E R D IP ,
S O LD E R D IP M A X. +0.16 (.006).
Part Marking Information
TO-252AA (D-PARK)
E XA M P L E : TH IS IS A N IR F R 1 20
W IT H A S S E M B LY
LOT CODE 9U1P
IN TE R N A TIO N A L
R E C T IF IE R
LO G O
IR F R
1 20
F IR S T P O R TIO N
OF PART NUMBER
A
8
A S S E M B LY
LOT CODE
9U
1P
S E C O N D P O R TIO N
OF PART NUMBER
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR3303TRRPBF | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| IRLR3303TRR | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
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| IRLR3715TRPBF | MOSFET N-CH 20V 54A DPAK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR3103TRRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 55A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR3105 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:AUTOMOTIVE MOSFET |
| IRLR3105PBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3105TRLPBF | 功能描述:MOSFET MOSFT 55V 25A 37mOhm 13.3nC LogLvl RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3105TRPBF | 功能描述:MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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