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参数资料
| 型号： | IRLR3303PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 35A DPAK |
| 标准包装： | 525 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 35A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 31 毫欧 @ 21A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 26nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 870pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 68W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
IRLR/U3303PbF
Electrical Characteristics @ T J = 25°C (unless otherwise specified)
Parameter
Min.
Typ. Max. Units
Conditions
V (BR)DSS
Drain-to-Source Breakdown Voltage
30 ––– ––– V V GS = 0V, I D = 250μA
? V (BR)DSS / ? T J
Breakdown Voltage Temp. Coefficient
–––
0.035 –––
V/°C
Reference to 25°C, I D = 1mA
?
ns
R DS(on)
V GS(th)
g fs
I DSS
I GSS
Q g
Q gs
Q gd
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Static Drain-to-Source On-Resistance
Gate Threshold Voltage
Forward Transconductance
Drain-to-Source Leakage Current
Gate-to-Source Forward Leakage
Gate-to-Source Reverse Leakage
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain ("Miller") Charge
Turn-On Delay Time
Rise Time
Turn-Off Delay Time
Fall Time
––– ––– 0.031 V GS = 10V, I D = 21A ?
––– ––– 0.045 V GS = 4.5V, I D = 17A ?
1.0 ––– ––– V V DS = V GS , I D = 250μA
12 ––– ––– S V DS = 25V, I D = 20A ?
––– ––– 25 V DS = 30V, V GS = 0V
μA
––– ––– 250 V DS = 24V, V GS = 0V, T J = 150°C
––– ––– 100 V GS = 16V
nA
––– ––– -100 V GS = -16V
––– ––– 26 I D = 20A
––– ––– 8.8 nC V DS = 24V
––– ––– 15 V GS = 4.5V, See Fig. 6 and 13 ??
––– 7.4 ––– V DD = 15V
––– 200 ––– I D = 20A
––– 14 ––– R G = 6.5 ?, V GS = 4.5V
––– 36 ––– R D = 0.70 ?, See Fig. 10 ??
L D
Internal Drain Inductance
–––
4.5
–––
nH
Between lead,
6mm (0.25in.)
D
L S
Internal Source Inductance
––– 7.5 –––
from package
and center of die contact ?
G
S
C iss
C oss
C rss
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
––– 870 ––– V GS = 0V
––– 340 ––– pF V DS = 25V
––– 170 ––– ? = 1.0MHz, See Fig. 5 ?
Source-Drain Ratings and Characteristics
Parameter
Min. Typ. Max. Units
Conditions
I S
I SM
Continuous Source Current
(Body Diode)
Pulsed Source Current
(Body Diode) ?
––– –––
––– –––
35 ?
140
A
MOSFET symbol
showing the
integral reverse
p-n junction diode.
G
D
S
V SD
t rr
Diode Forward Voltage
Reverse Recovery Time
––– ––– 1.3 V T J = 25°C, I S = 20A, V GS = 0V ?
––– 72 110 ns T J = 25°C, I F = 20A
Q rr
Reverse RecoveryCharge
––– 180 280 nC
di/dt = 100A/μs ??
t on
Notes:
Forward Turn-On Time
Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by L S +L D )
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature. ( See fig. 11 )
? V DD = 15V, starting T J = 25°C, L =470μH
R G = 25 ? , I AS = 20A. (See Figure 12)
? I SD ≤ 20A, di/dt ≤ 140A/μs, V DD ≤ V (BR)DSS ,
T J ≤ 175°C
? Pulse width ≤ 300μs; duty cycle ≤ 2%.
2
? Caculated continuous current based on maximum allowable
junction temperature; Package limitation current = 20A.
? This is applied for I-PAK, L S of D-PAK is measured between
lead and center of die contact.
? Uses IRL3303 data and test conditions.
www.irf.com
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PDF描述 |
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参数描述 |
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