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参数资料
| 型号： | IRLR3715TRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 54A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 95555A
SMPS MOSFET
IRLR3715PbF
IRLU3715PbF
Applications
l High Frequency Isolated DC-DC
V DSS
HEXFET ? Power MOSFET
R DS(on) max I D
l
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
High Frequency Buck Converters for
20V
14m ?
54A
Computer Processor Power
l
Lead-Free
Benefits
l Ultra-Low Gate Impedance
l
l
Very Low R DS(on) at 4.5V V GS
Fully Characterized Avalanche Voltage
D-Pak
IRLR3715
I-Pak
IRLU3715
and Current
Absolute Maximum Ratings
Symbol
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T A = 25°C
T J , T STG
Parameter
Drain-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current ?
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation ?
Linear Derating Factor
Junction and Storage Temperature Range
Max.
20
± 20
54 ?
38 ?
210
71
3.8
0.48
-55 to + 175
Units
V
V
A
W
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
Junction-to-Case
–––
2.1
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Ambient
Junction-to-Ambient (PCB mount) ?
–––
–––
110
50
°C/W
Notes ? through ? are on page 10
www.irf.com
1
12/6/04
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PDF描述 |
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参数描述 |
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