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参数资料
| 型号： | IRLR3715TRRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 10/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 54A DPAK |
| 标准包装： | 3,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 54A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 14 毫欧 @ 26A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 17nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1060pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 3.8W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U3715PbF
D-Pak (TO-252AA) Tape & Reel Information
Dimensions are shown in millimeters (inches)
TR
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
TRR
TRL
16.3 ( .641 )
15.7 ( .619 )
12.1 ( .476 )
11.9 ( .469 )
FEED DIRECTION
8.1 ( .318 )
7.9 ( .312 )
FEED DIRECTION
NOTES :
1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER.
2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS ( INCHES ).
3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541.
13 INCH
16 mm
NOTES :
1. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481.
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by
max. junction temperature.
? Starting T J = 25°C, L = 0.51mH
R G = 25 ? , I AS = 21A,V GS =10V
? Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%.
? Calculated continuous current based on maximum
allowable junction temperature. Package limitation
current is 30A.
? When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material) .
For recommended footprint and soldering techniques refer
to application note #AN-994
Data and specifications subject to change without notice.
This product has been designed and qualified for the Industrial market.
Qualification Standards can be found on IR’s Web site.
IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105
TAC Fax: (310) 252-7903
Visit us at www.irf.com for sales contact information . 02/04
10
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R7001604XXUA | RECTIFIER 1600V 450A |
| R7011603XXUA | RECTIFIER 1600V 300A |
| IRLR4343TRRPBF | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK |
| ECC15DJWB | CONN EDGECARD 30PS .100 PRESSFIT |
| IRFR3911TRLPBF | MOSFET N-CH 100V 14A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR3715Z | 功能描述:MOSFET N-CH 20V 49A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR3715ZCPBF | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLR3715ZCTRLP | 功能描述:MOSFET MOSFET, 20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, Logic Level, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3715ZCTRPBF | 功能描述:MOSFET MOSFET, 20V, 49A, 11 mOhm, 7.2 nC Qg, Logic Level, D-Pak RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3715ZHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 20V 49A 3-Pin(2+Tab) DPAK 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 49A 3PIN DPAK - Bulk |
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