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参数资料
| 型号： | IRLR3717TRLPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 120A DPAK |
| 标准包装： | 6,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 120A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 4 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.45V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 31nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 2830pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 89W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
PD - 95776A
IRLR3717PbF
Applications
IRLU3717PbF
HEXFET ? Power MOSFET
l
High Frequency Synchronous Buck
Converters for Computer Processor Power
V DSS R DS(on) max
Qg
l
High Frequency Isolated DC-DC
20V
4.0m
21nC
Converters with Synchronous Rectification
for Telecom and Industrial Use
l
Lead-Free
Benefits
l
Very Low R DS(on) at 4.5V V GS
l
l
Ultra-Low Gate Impedance
Fully Characterized Avalanche Voltage
and Current
D-Pak
IRLR3717
I-Pak
IRLU3717
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Max.
Units
V DS
V GS
I D @ T C = 25°C
I D @ T C = 100°C
I DM
P D @T C = 25°C
P D @T C = 100°C
T J
T STG
Drain-to-Source Voltage
Gate-to-Source Voltage
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Continuous Drain Current, V GS @ 10V
Pulsed Drain Current
Maximum Power Dissipation
Maximum Power Dissipation
Linear Derating Factor
Operating Junction and
Storage Temperature Range
Soldering Temperature, for 10 seconds
20
± 20
120
81
460
89
44
0.59
-55 to + 175
300 (1.6mm from case)
V
A
W
W/°C
°C
Thermal Resistance
Parameter
Typ.
Max.
Units
R θ JC
R θ JA
R θ JA
Junction-to-Case
Junction-to-Ambient (PCB Mount)
Junction-to-Ambient
–––
–––
–––
1.69
50
110
°C/W
Notes ? through ? are on page 11
www.irf.com
1
12/08/04
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR3802TRLPBF | MOSFET N-CH 12V 84A DPAK |
| IRLR4343TRPBF | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK |
| IRLR7821CTRRPBF | MOSFET N-CH 30V 65A DPAK |
| IRLR8503TRLPBF | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
| IRLR8503TRR | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR3717TRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3717TRRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 20V 120A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRLR3717TRRPBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 21nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| IRLR3802 | 制造商:IRF 制造商全称:International Rectifier 功能描述:HEXFET Power MOSFET |
| IRLR3802PBF | 功能描述:MOSFET 12V 1 N-CH HEXFET 4.2mOhms 27nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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