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参数资料
| 型号： | IRLR4343PBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK |
| 标准包装： | 75 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 740pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 管件 |
| 其它名称： | *IRLR4343PBF |
IRLR/U4343PbF & IRLU4343-701PbF
D-Pak (TO-252AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
D-Pak (TO-252AA) Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRF R120
WIT H AS S EMBLY
LOT CODE 1234
AS S EMB LED ON WW 16, 1999
INT ERNAT IONAL
RECT IF IER
LOGO
IRF U120
916A
PART NUMBER
DAT E CODE
YEAR 9 = 1999
IN T HE AS S EMBLY LINE "A"
Note: "P" in as s embly line pos ition
indicates "Lead-F ree"
AS S EMBLY
LOT CODE
12
34
WEEK 16
LINE A
OR
PART NUMBER
INT ERNAT IONAL
www.irf.com
RE CT IF IER
LOGO
AS S EMBLY
LOT CODE
IRF U120
12 34
DAT E CODE
P = DES IGNAT ES LEAD-F REE
PRODUCT (OPT IONAL)
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
A = AS S EMBLY S ITE CODE
7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| B32521C3224K | CAP FILM 0.22UF 250VDC RADIAL |
| IRFU3706PBF | MOSFET N-CH 20V 75A I-PAK |
| AML27ABK2AC23BS | SWITCH KEYLOCK 2POS DPDT 3A |
| B32522Q8473M | CAP FILM 0.047UF 630VDC RADIAL |
| AML27ABK2AC23BF | SWITCH KEYLOCK 2POS DPDT 3A |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR4343TR | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR4343TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 26A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRLR4343TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR4343TRLHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 55V 26A 3PIN DPAK - Tape and Reel |
| IRLR4343TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 55V 26A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
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