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参数资料
| 型号： | IRLR4343TRPBF |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 5/11页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 55V 26A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 55V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 26A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 50 毫欧 @ 4.7A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 42nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 740pF @ 50V |
| 功率 - 最大： | 79W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR/U4343PbF & IRLU4343-701PbF
200
I D = 19A
700
ID
600
TOP
2.4A
3.3A
150
500
BOTTOM 19A
400
100
300
50
T J = 125°C
T J = 25°C
200
100
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10.0
0
25
50
75
100
125
150
175
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
Fig 12. On-Resistance Vs. Gate Voltage
1000
Duty Cycle = Single Pulse
100
0.01
Starting T J, Junction Temperature (°C)
Fig 13. Maximum Avalanche Energy Vs. Drain Current
Allowed avalanche Current vs
avalanche pulsewidth, tav
assuming ? Tj = 25°C due to
avalanche losses. Note: In no
10
0.05
case should Tj be allowed to
exceed Tjmax
0.10
1
0.1
1.0E-06
1.0E-05
1.0E-04
1.0E-03
1.0E-02
tav (sec)
Fig 14. Typical Avalanche Current Vs.Pulsewidth
180
160
140
120
100
80
60
40
20
TOP Single Pulse
BOTTOM 1% Duty Cycle
ID = 19A
Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 14, 15:
(For further info, see AN-1005 at www.irf.com)
1. Avalanche failures assumption:
Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a
temperature far in excess of T jmax . This is validated for
every part type.
2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asT jmax is
not exceeded.
3. Equation below based on circuit and waveforms shown in
Figures 17a, 17b.
4. P D (ave) = Average power dissipation per single
avalanche pulse.
5. BV = Rated breakdown voltage (1.3 factor accounts for
voltage increase during avalanche).
6. I av = Allowable avalanche current.
7. ? T = Allowable rise in junction temperature, not to exceed
T jmax (assumed as 25°C in Figure 14, 15).
0
25
50 75 100 125 150
Starting T J , Junction Temperature (°C)
175
t av = Average time in avalanche.
D = Duty cycle in avalanche = t av ·f
Z thJC (D, t av ) = Transient thermal resistance, see figure 11)
P D (ave) = 1/2 ( 1.3·BV·I av ) = D T/ Z thJC
Fig 15. Maximum Avalanche Energy Vs. Temperature
www.irf.com
I av = 2 D T/ [1.3·BV·Z th ]
E AS (AR) = P D (ave) ·t av
5
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| IRLR6225PBF | 功能描述:MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 48nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
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