- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录21631 > IRLR8503TR (International Rectifier)MOSFET N-CH 30V 44A DPAK PDF资料下载
参数资料
| 型号： | IRLR8503TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 2/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR8503
Electrical Characteristics
Parameter
Symbol
Min Typ Max Units
Conditions
Drain-to-Source Breadown Voltage*
Static Drain-Source On-Resistance*
Gate Threshold Voltage*
Drain-Source Leakage Current
V (BR)DSS
R DS(on)
V GS(th)
I DSS
30
–––
–––
1.0
–––
–––
– ––
11
13
– ––
– ––
– ––
–––
16
18
3.0
1.0
150
V
m ?
V
μA
V GS = 0V, I D = 250μA
V GS = 10V, I D = 15A
V GS = 4.5V, 1 D = 15A
V DS = V GS , I D = 250μA
V DS = 30V, V GS = 0
V DS = 24V, V GS = 0, T J = 100°C
Gate-Source Leakage Current*
I GSS
–––
––– ±100
nA
V GS = ± 20V
Total Gate Charge, Control FET*
Total Gate Charge, Synch FET*
Q g
Q g
–––
–––
15
13
20
17
V GS = 5V, I D = 15A, V DS = 16V
V GS = 5V, V DS < 100mV
Pre-Vth Gate-to-Source Charge
Post-Vth Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain Charge
Switch Charge* (Q gs2 + Q gd )
Q gs1
Q gs2
Q gd
Q SW
–––
–––
–––
–––
3.7
1.3
4.1
5.4
–––
–––
–––
8
nC
V DS = 16V, I D = 15A
Output Charge*
Gate Resistance
Turn-On Delay Time
Q OSS
R G
t d(on)
–––
0.4
–––
23
– ––
10
29.5
1.1
–––
?
V DS = 16V, V GS = 0
V DD = 16V, I D = 15A
Drain Voltage Rise Time
Turn-Off Delay Time
Drain Voltage Fall Time
tr V
t d(off)
tf V
–––
–––
–––
18
11
3
–––
–––
–––
ns
V GS = 5.0V
Clamped Inductive Load
See Test Diagram Fig. 14
Input Capacitance
C iss
––– 1650 –––
V DS = 25V
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
C oss
C rss
–––
–––
650
58
–––
–––
pF
V GS = 0
Source-Drain Rating & Characteristics
Parameter
Symbol
Min Typ Max Units
Conditions
Diode Forward Voltage*
Reverse Recovery Charge
Reverse Recovery Charge
(with Parallel Schottsky)
V SD
Q rr
Q rr(s)
–––
–––
–––
– ––
76
67
1.0
–––
–––
V
nC
I S = 15A , V GS = 0V
di/dt = 700A/μs
V DD = 16V, V GS = 0V, I S = 15A
di/dt = 700A/μs
(with 10BQ040)
V DD = 16V, V GS = 0V, I S = 15A
Notes:
? Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. ? Calculated continuous current based on maximum allowable
? Pulse width ≤ 300 μs; duty cycle ≤ 2%. Junction temperature; switching and other losses will
? When mounted on 1 inch square copper board, t < 10 sec. decrease RMS current capability; package limitation
Typ = measured - Q
?
oss
current = 20A.
? R θ is measured at T J approximately at 90°C
*Devices are 100% tested to these parameters.
2
www.irf.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IRLR8503TRL | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
| SBG1635CT-T-F | DIODE SCHOTTKY CC 35V 16A D2-PAK |
| UB16RKW035C-JB | SWITCH PUSHBUTTON SPDT 5A 125V |
| IRLR3410TRL | MOSFET N-CH 100V 17A DPAK |
| ECH-U1H223GB5 | CAP FILM 0.022UF 50VDC 1210 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| IRLR8503TRHR | 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 44A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
| IRLR8503TRL | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRLPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRPBF | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
| IRLR8503TRR | 功能描述:MOSFET N-CH 30V 44A DPAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。