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参数资料
| 型号： | IRLR8503TR |
| 厂商： | International Rectifier |
| 文件页数： | 7/9页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | HEXFET® |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 44A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 16 毫欧 @ 15A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 3V @ 250µA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 20nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 1650pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 62W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 供应商设备封装： | D-Pak |
| 包装： | 带卷 (TR) |
IRLR8503
D-Pak (TO-252AA) Package Outline
Dimensions are shown in millimeters (inches)
5.46 (.215)
5.21 (.205)
6.73 (.265)
6.35 (.250)
-A-
1.27 (.050)
0.88 (.035)
2.38 (.094)
2.19 (.086)
1.14 (.045)
0.89 (.035)
0.58 (.023)
0.46 (.018)
4
6.45 (.245)
6.22 (.245)
5.97 (.235)
10.42 (.410)
5.68 (.224)
1.02 (.040)
1.64 (.025)
1
2
3
9.40 (.370)
LEAD ASSIGNMENTS
1 - GATE
0.51 (.020)
2 - DRAIN
-B-
MIN.
3 - SOURCE
1.52 (.060)
1.15 (.045)
3X
0.89 (.035)
0.64 (.025)
0.58 (.023)
4 - DRAIN
2X
1.14 (.045)
0.76 (.030)
0.25 (.010)
M A M B
0.46 (.018)
2.28 (.090)
4.57 (.180)
NOTES:
1 DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.
2 CONTROLLING DIMENSION : INCH.
3 CONFORMS TO JEDEC OUTLINE TO-252AA.
4 DIMENSIONS SHOWN ARE BEFORE SOLDER DIP,
SOLDER DIP MAX. +0.16 (.006).
D-Pak (TO-252AA) Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRFR120
WIT H AS S EMBLY
LOT CODE 1234
AS S EMBLED ON WW 16, 1999
IN T HE AS S EMBLY LINE "A"
N ote: "P" in as sembly line
pos ition indicates "Lead-Free"
OR
INT ERNAT IONAL
RECT IFIER
LOGO
AS S EMBLY
LOT CODE
INT ERNAT IONAL
RECT IFIER
LOGO
IRFR120
916A
12 34
IRFR120
P916A
12 34
PART NUMBER
DAT E CODE
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
LINE A
PART NUMBER
DAT E CODE
P = DES IGNAT ES LEAD-FREE
PRODUCT (OPT IONAL)
www.irf.com
AS S EMBLY
LOT CODE
YEAR 9 = 1999
WEEK 16
A = AS S EMBLY S IT E CODE
7
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PDF描述 |
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| IRLR8503TRL | MOSFET N-CH 30V 44A DPAK |
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参数描述 |
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