参数资料
型号: IRLU024N
厂商: International Rectifier
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文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 55V 17A I-PAK
标准包装: 75
系列: HEXFET®
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss): 55V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 17A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 65 毫欧 @ 10A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 15nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 480pF @ 25V
功率 - 最大: 45W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
供应商设备封装: I-Pak
包装: 管件
其它名称: *IRLU024N
IRLR/U024N
20
15
10
V DS
V GS
R G
5V
Pulse Width ≤ 1 μs
Duty Factor ≤ 0.1 %
R D
D.U.T.
+
- V DD
Fig 10a. Switching Time Test Circuit
5
V DS
90%
0
25
50
75
100
125
150
175
T C , Case Temperature ( ° C)
10%
V GS
Fig 9. Maximum Drain Current Vs.
t d(on)
t r
t d(off)
t f
Case Temperature
Fig 10b. Switching Time Waveforms
10
D = 0 .5 0
1
0 .2 0
0 .1 0
0 .0 5
0 .0 2
0 .0 1
P D M
0.1
S IN G L E P U L S E
(T H E R M A L R E S P O N S E )
t
1
t2
N ote s:
1 . D u ty fac tor D = t
1
/ t
2
0.01
2. P e a k T J = P D M x Z th JC + T C
A
0.00001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t 1 , R e ctan g ula r P ulse D u ratio n (sec )
Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
www.irf.com
5
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IRLR3303TR MOSFET N-CH 30V 35A DPAK
ECH-U1H101GB5 CAP FILM 100PF 50VDC 0805
KB15CKG01-FF SWITCH PUSH SPDT 0.4VA 28V
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