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参数资料
| 型号： | IRLU024N |
| 厂商： | International Rectifier |
| 英文描述： | HEXFET Power MOSFET |
| 中文描述： | HEXFET功率MOSFET |
| 文件页数： | 5/10页 |
| 文件大小： | 162K |
| 代理商： | IRLU024N |
IRLR/U024N
www.irf.com
5
Fig 10a.
Switching Time Test Circuit
V
DS
90%
10%
V
GS
t
d(on)
t
r
t
d(off)
t
f
Fig 10b.
Switching Time Waveforms
V
DS
Pulse Width
≤ 1
μs
Duty Factor
≤ 0.1 %
R
D
V
GS
R
G
D.U.T.
5V
+
-
V
DD
Fig 11.
Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case
Fig 9.
Maximum Drain Current Vs.
Case Temperature
0.01
0.00001
0.1
1
10
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t , Rectangular Pulse Duration (sec)
t
D = 0.50
0.01
0.02
0.05
0.10
0.20
SINGLE PULSE
(TH ERMAL RESPONSE)
A
T
P
t
2
1
t
DM
Notes:
1. Duty factor D = t1
2
2. Peak T = P x Z + T
25
50
75
100
125
150
175
0
5
10
15
20
T , Case Temperature (°
I
D
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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参数描述 |
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